“Tạm biệt” nỗi lo đầy bộ nhớ điện thoại với đột phá mới!

Chắc hẳn ai trong chúng ta cũng từng “khổ sở” vì cái thông báo “Bộ nhớ đầy” trên điện thoại, nhất là khi đang muốn chụp một bức ảnh đẹp hay tải một ứng dụng “hot”. Nhưng đừng lo, một nghiên cứu mới đây đã thắp lên hy vọng cho tương lai lưu trữ dữ liệu, hứa hẹn mang đến những thiết bị với khả năng lưu trữ “vô đối” mà vẫn giữ nguyên kích thước.

ẢNH: SLASHGEAR

Nhóm nghiên cứu của Giáo sư Yoichi Murakami tại Viện Khoa học Tokyo (Nhật Bản) đã phát triển một cấu trúc khung hữu cơ cộng hóa trị (COF) độc đáo, sử dụng các “rôto phân tử” siêu nhỏ để lưu trữ thông tin. Điểm đặc biệt là, thay vì sử dụng bộ nhớ bán dẫn như hiện nay, họ tạo ra một tinh thể COF với mật độ cực thấp. Nhờ vậy, các rôto phân tử có đủ không gian để xoay và giữ đúng vị trí, mỗi rôto hoạt động như một “mảnh ghép” (bit) có thể chuyển đổi, tạo thành bộ nhớ không bay hơi như ROM.

Vậy công nghệ này có gì đặc biệt?

Để áp dụng vào thực tế, các rôto này phải đáp ứng 4 tiêu chí “khó nhằn”: phản ứng với điện trường, ổn định ở nhiệt độ phòng, xoay dễ dàng và chịu được nhiệt độ cao. May mắn là, theo các nhà nghiên cứu, vật liệu này đã “vượt qua” tất cả các yêu cầu trên.

Các rôto này không chỉ ổn định trong điều kiện bình thường mà còn “chịu nhiệt” lên đến 150°C, và cấu trúc tổng thể chỉ bị phá vỡ khi đạt gần 400°C! Hướng dữ liệu cũng có thể được chuyển đổi một cách đáng tin cậy khi có điện trường mạnh hoặc khi được nung nóng trên 200°C.

Đây là lần đầu tiên một vật liệu COF đạt được hiệu suất ấn tượng như vậy, đánh dấu một bước tiến lớn trong lĩnh vực nghiên cứu bộ nhớ phân tử. Mặc dù có thể phải chờ vài năm nữa chúng ta mới được thấy công nghệ này trong các thiết bị thực tế, nhưng nó mở ra khả năng lưu trữ với mật độ cao hơn rất nhiều so với hiện tại. Tưởng tượng xem, bộ nhớ rôto phân tử có thể giúp chúng ta lưu trữ nhiều dữ liệu hơn trong những con chip nhỏ hơn, ảnh hưởng đến mọi thứ, từ điện thoại, thiết bị đeo cho đến các thiết bị IoT.